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FET,MOSFET - 单个

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DMT6016LPSW-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
有源
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
11.2A(Ta),43A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
16.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
17nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
864pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.84W(Ta),41.67W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerDI5060-8(UX 类)
封装/外壳
8-PowerTDFN
商品其它信息
优势价格,DMT6016LPSW-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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