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UGBT、MOSFET - 单
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IXYA30N120A4HV

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
GenX4™，XPT™
零件状态
有源
IGBT 类型
PT
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
106A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
184A
不同Vge，Ic 时的Vce（on）
1.9V @ 15V，25A
功率 - 最大值
500W
开关能量
4mJ（开），3.4mJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
57nC
25°C 时 Td（开/关）值
15ns/235ns
测试条件
960V，25A，5 欧姆，15V
反向恢复时间（trr）
42ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
TO-263HV
商品其它信息
优势价格，IXYA30N120A4HV的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NGTB30N60L2WG
ON Semiconductor
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暂无价格
参考库存:7701

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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